Samsung batte i concorrenti nella corsa alla produzione di nodi GAA

Samsung non ha specificato i tipi di componenti che produce nella sua parte anteriore quando ha affermato all’inizio di quest’anno di aver iniziato a produrre circuiti in serie utilizzando la sua tecnologia di processo 3GAE (classe 3 nm, prima GAA). Apparentemente, Samsung produce un circuito integrato specifico per l’applicazione (ASIC) per il mining di criptovalute utilizzando 3GAE.

Il primo processo del settore a utilizzare i transistor all-round gate (GAA) , o ciò che Samsung chiama MBCFET , è la tecnologia di produzione 3GAE (transistor a effetto di campo multi-ponte-canale) di Samsung. L’architettura del transistor GAA consente di modificare le prestazioni del transistor e il consumo energetico modificando lo spessore del canale, il che riduce anche al minimo la corrente di dispersione, poiché il gate è ora circondato da un canale su tutti e quattro i lati.

I GAAFET sono particolarmente utili per applicazioni mobili e ad alte prestazioni, motivo per cui aziende come Intel e TSMC stanno facendo grandi sforzi per utilizzarli nel 2024-2025 .

Tuttavia, secondo TrendForce , sembra che il primo chip commerciale a utilizzare GAAFET sia un ASIC per il mining di criptovalute. Secondo gli analisti di TrendForce, l’azienda non inizierà a produrre sistemi mobili su chip utilizzando la tecnologia di produzione 3GAE fino al prossimo anno.

Quando si tratta di nodi nuovi di zecca, Samsung di solito ha un vantaggio rispetto a TSMC e Intel, sebbene in molti casi i chip di TSMC siano più veloci e abbiano più prestazioni. Forse l’organizzazione si pone obiettivi troppo ambiziosi che non possono essere raggiunti immediatamente. Tuttavia, sembra che Samsung 3GAE sia in grado di produrre ASIC per il mining di Bitcoin e talvolta SoC mobili .

Poiché Samsung rilascia spesso i suoi nuovi SoC per i suoi dispositivi di punta all’inizio dell’anno, la tempistica esatta potrebbe essere più importante. Anche se sembra che 3GAE potrebbe non essere pronto in tempo per soddisfare il piano di Samsung per il suo prossimo telefono cellulare Galaxy S , l’utilizzo del suo nodo 3GAE per costruire un SoC avanzato sarebbe vantaggioso per i suoi smartphone.