TSMC presenta i nuovi nodi Finflex N3/E e il nodo Nanosheet N2

TSMC ha recentemente tenuto il suo simposio annuale sulla tecnologia in cui ha parlato del futuro della tecnologia dei nodi tecnologici che sarà utilizzata nelle future generazioni di processori. TSMC ha ottenuto diversi importanti progressi, tra cui la nuova tecnologia Finflex per N3 e N3E, nonché il nuovo nodo N2 con una nuova tecnologia a transistor. 

Secondo TSMC, il nodo N2 è la prossima grande svolta dopo N3. Fornendo un aumento della velocità del 10-15% alla stessa potenza, o una riduzione della potenza del 25-30% alla stessa velocità, il nuovo nodo N2 promette di offrire un altro salto generazionale. Il nuovo processo di produzione utilizzerà l’architettura del transistor nanosheet e includerà una variante ad alte prestazioni, una versione mobile e una soluzione incentrata sul chiplet.

Passando a Finflex, la nuova tecnologia di TSMC promette di offrire ai clienti una maggiore flessibilità con tre diverse configurazioni. Queste sono la configurazione a 3-2 pinne per componenti ad alte prestazioni, la configurazione a 2-1 pinne per la massima efficienza e densità del transistor e la configurazione bilanciata a 2-2 pinne. Questa nuova tecnologia sarà disponibile per i nodi tecnologici N3 e N3E, consentendo ai clienti di creare soluzioni adatte alle loro esigenze.

Oltre all’N2 e alla nuova tecnologia Finflex, TSMC ha parlato anche del successore dell’N12e. Parte della piattaforma TSMC Ultra-Low Power, il nuovo nodo è progettato per dispositivi periferici AI e IoT. Inoltre, sarà basato sul processo a 7 nm, offrendo una densità logica tre volte superiore al suo predecessore. Infine, la società di semiconduttori ha affermato che il supporto per lo stacking CoW (Chip-On-Wafer) e WoW (Wafer-On-Wafer) arriverà sul nodo N5 nel 2023.